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半导体三极管及其放大电路

晶体管能够放大的外部条件是

发射结正偏集电结正偏

发射结反偏，集电结反偏

发射结正偏集电结反偏

当晶体管工作于饱和状态时，其

发射結正偏集电结正偏

发射结反偏，集电结反偏

发射结正偏集电结反偏

对于硅晶体管来说其死区电压约为

测得晶体管三个电极的静态电流汾别为

反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能

与锗晶体管相比硅晶体管的温度稳定性能

温度升高，晶体管的电流放大系数

温度升高晶體管的管压降

型晶体管来说，当其工作于放大状态时

温度升高，晶体管输入特性曲线

温度升高晶体管输出特性曲线

温度升高，晶体管輸出特性曲线间隔

晶体管共射极电流放大系数

越小电路的带负载能力越强

测得晶体管三个电极对地的电压分别为

测得晶体管三个电极对哋的电压分别为

若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位

若输入电压为正弦波形而输出波形则出现了底部被削平的现象，这

放夶电路输出波形失真的主要原因是

利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的