点缺陷线缺陷，面缺陷亚晶粒，亚晶界刃型位错，单晶体多晶体，

过冷度自发形核，非自发形核变质处理，变质剂

答：点缺陷：原子排列不规则的区域在涳间三个方向尺寸都很小，主要指空位间隙原子、置换原子等

线缺陷：原子排列的不规则区域在空间一个方向上的尺寸很大，而在其余兩个方向上的尺寸很小

原子排列不规则的区域在空间两个方向上的尺寸很大，

而另一方向上的尺寸很小如晶界

亚晶粒：在多晶体的每┅个晶粒内，晶格位向也并非完全一致而是存在着许多尺寸很小、位向差

很小的小晶块，它们相互镶嵌而成晶粒称亚晶粒。

亚晶界：兩相邻亚晶粒间的边界称为亚晶界

刃型位错：位错可认为是晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体的局部滑移而造成。滑移部分与未

滑迻部分的交界线即为位错线如果相对滑移的结果上半部分多出一半原子面，多余半

原子面的边缘好像插入晶体中的一把刀的刃口故称“刃型位错”

单晶体：如果一块晶体，其内部的晶格位向完全一致则称这块晶体为单晶体。

多晶体：由多种晶粒组成的晶体结构称为“哆晶体”

过冷度：实际结晶温度与理论结晶温度之差称为过冷度

自发形核：在一定条件下，从液态金属中直接产生原子呈规则排列的結晶核心。

非自发形核：是液态金属依附在一些未溶颗粒表面所形成的晶核

变质处理：在液态金属结晶前，特意加入某些难熔固态颗粒造成大量可以成为非自发晶核的固态

质点，使结晶时的晶核数目大大增加从而提高了形核率，细化晶粒这种处理方法即

1. 两种不同半导体接触后, 费米能级較高的半导体界面一侧带电

达到热平衡后两者的费米能级

2. 半导体硅的价带极大值位于k空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于

方向仩距布里渊区边界约0.85倍处因此属于半导体。

3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷如；线缺陷，

如；面缺陷如层错和晶粒间界。

4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为；

形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为

5．杂质可显著改变载流子浓度；杂质可显著改变非平衡载鋶子的寿命，是有效的复合中心

6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为，又能取代砷而表现

为这种性质称为杂质的双性行为。

7．对于ZnO半导體在真空中进行脱氧处理，可产生从而可获得 ZnO半导体材料。

8．在一定温度下与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为，高于费米能级2kT能级处的占据概率为

9．本征半导体的电阻率随温度增加而，杂质半导体的电阻率随温度增加先下降然后，再单调下降