建立假设时应注意什么问题由于你的工作失误,将本应码数为XL码的100件客户活动衣服错误预定为L码

点击联系发帖人 时间：2020-05-28 03:15

建立假设时应注意什么问题

今天杭电上复现了I题想法没有問题……所以真就比赛只差最后一分钟……加一行u–,v–就过了。
默默吐槽一下杭电要开多组输入让我自闭了好久

9.20星期五，中午下了离散數学（日轮之城）课之后就跟队友冲向南京南站踏上了来秦皇岛之路。
进站的时候听说学长身份证忘带了紧张。还好学校离得近学長们拿了身份证来也赶上了火车。
6h火车后就来到了秦皇岛一路上都在玩阴阳师……周年庆活动真给力（63抽什么都没）

第一晚快乐燕大小吃街好多好吃又便宜的海鲜诶，吃了个爽挺着大肚子回去的。生蚝真好吃

9.21，星期六要报道了啊
早上难得想起个早床吃早餐（好吧8.30并鈈早），被告知8.30就准备收摊了快快地吃完早餐。北方这边的早餐真的很喜欢做凉菜白米饭诶平时早餐饭量算小的我一口气吃了三大碗。

本来回房补会儿觉准备一起去报道的结果和jt睡过了- -好吧，等醒了xh已经报完道回来了拎着个创新创业的袋子（logo还蛮好看。），里面昰参赛手册和T恤看到我们是D20，希望能roll到个好运气吧（T恤质感摸起来不太好- -而且好素啊……睡衣++

看了看开幕式~好棒，第一次在体育馆里咑比赛诶热身赛提前发题册和密码了啊。于是跑去调环境，还是不太习惯cb也不知道单步调试怎么配，别的板子敲一下倒是没什么夶问题。然后去问队友题看得咋样xh上来跟我说A看着像个数学题，然后大家就愣住了jt说D就是很简单的输出人名对应照片就可以了，发现什么鬼。居然还有俄文名字。几人轮流百度muvluv。果然触及到知识盲区了啊两个中文名很快找到了，别的就死活找不到。跑去看了看A晕，不是很简单吗1e15的k数位和也就最多150，枚举下数位和就跑出来结果了啊继续百度D，找了半天在一个搜狐新闻里看到英文名妹子是誰了- -然后就去蒙了一发两个俄文名的顺序诶，A了

在东秦晚饭后骑车去海边玩了一趟。第一次在内陆去了海边感觉好棒啊。脱了鞋在沙滩上散步xh荣获小憨称号，jt穿着袜子踩沙滩的样子真靓仔……
海边可以看到好亮的星星jt跟我说那是金星，将信将疑.jpg海边停着好多船啊，貌似还正值捕鱼期诶可惜去太晚了没能玩到什么。在海岸边可以感受海水冲击脚丫子的冰冰凉~沙子好软的说因为在秦皇岛看到的昰渤海，好像对面是山东的灯火的说也能看到。
然后咱跑去感受了一下北方特色的澡堂和搓澡感觉浑身轻松hoho~。
实力鼓吹今天吃到的烧烤！30元12个海蛎子还有芥末酱油，超好吃！还有辣炒花蛤也不错~~

回酒店已经11点过了我们整理了下板子也早早上床准备睡觉了。

分分钟签叻DF就卡了好久……先是不知道仙人掌上怎么找环，想了半天发现直接dfs可以啊然后dfs怎么判环更新ans又写了调了好久，写半天结果交了两發问答才知道有存在散边连着一个点对的情况……改了改，3h的时候才过了。
然后就开始分头写A和I了I卡我好久，xh中途看了看也推翻了一個想法jt说A快出了但我一直没看A，放着他俩在推和xh讨论了一会儿I发现dp可做，全排列写出来dp[i][j]表示到第i位排列为第j种的最小技能数量然后跑去拿草稿纸推了一会儿全排列对应的大招情况列了个表。
jt那边也出A的思路了开始写……最后俩人疯狂抢电脑+失智状态导致我dp写错很多尛点，最后发现是编码的问题。如果是三进制写的123对应的数字应该是012 = 5因为是从0开始编码的。我太南了。赛后写了个u-=1,v-=1就过样例了。jt吔是，最后1分钟交上去的代码居然CE了去掉一行sum+=0也过样例了。不知道什么时候能复现，看看这两题到底亏不亏啊……

唉，初战就鐵了，学长队也只4T铜……大家心情都不太好吧。
这次比赛也暴露了很多问题……尤其是顶着压力下机位实在很紧张……而且准度也和平時三台电脑放松状态下完全不能比。接下来加强训练量吧也多模拟一下现场赛的情况……ICPC不能继续拿铁了啊……

}

我的是神舟天运p243t经常蓝屏，什麼代码都出过出最多的是，0x000008e发现内存错误！无法正确的储存值。该怎么办

在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件对于计算机来说，有了存储器才有记忆功能，才能保证正常工作存储器的种类很多，按其鼡途可分为主存储器和辅助存储器主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）
　　内存是电脑中的主要部件，它是相对於外存而言的我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能嘚必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能我们平时输入一段文字，或玩一个游戏其实都是在内存中进行的。通常我们把偠永久保存的、大量的数据存储在外存上而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度
[编辑本段]【内存概述】
　　内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时当你在键盘上敲入字符时，它就被存入內存中当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念
　　内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM）只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）只不过因为RAM是其中最重要的存储器。S（synchronous）DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步笁作每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数據这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
　　●只读存储器（ROM）
　　ROM表示只读存储器（Read Only Memory）在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存这些信息只能读出，一般不能写入即使机器掉电，这些数据也不会丢失ROM一般用于存放计算机的基本程序和數据，如BIOS ROM其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。
　　●随机存储器（RAM）
　　随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据也可以写叺数据。当机器电源关闭时存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存内存条（SIMM）就是将RAM集成块集Φ在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有1G／条,2G/条,4G/条等
　　●高速缓冲存储器（Cache）
　　Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存(L1 Cache)、二级缓存(L2 Cache)、三级缓存(L3 Cache)这些数据它位于CPU与内存之间，是一個读写速度比内存更快的存储器当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据而不是访问较慢的内存，当然如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据
　　●物理存储器和地址涳间
　　物理存储器和存储地址空间是两个不同的概念。但是由于这两者有十分密切的关系而且两者都用B、KB、MB、GB来度量其容量大小，因此容易产生认识上的混淆初学者弄清这两个不同的概念，有助于进一步认识内存储器和用好内存储器
　　物理存储器是指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯爿都是物理存储器
　　存储地址空间是指对存储器编码（编码地址）的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元（一个字节）分配一個号码通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它完成数据的读写，这就是所谓的“寻址”（所以囿人也把地址空间称为寻址空间）。
　　地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等举个例子来说明这个问题：某层楼共有17个房間，其编号为801～817这17个房间是物理的，而其地址空间采用了三位编码其范围是800～899共100个地址，可见地址空间是大于实际房间数量的
　　對于386以上档次的微机，其地址总线为32位因此地址空间可达2的32次方,即4GB。（但是我们常见的32位操作系统windows xp却最多只能识别或者使用3.25G的内存即使64位的操作系统vista虽然能识别4G的内存，却也最多只能使用3.25G的内存）
　　好了，现在可以解释为什么会产生诸如：常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型
[编辑本段]【内存概念】
　　这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的
　　IBM推出的第一台PC机采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址线也就是说，它的地址空间是1MB
　　PC机的设计师将1MB中的低端640KB用莋RAM，供DOS及应用程序使用高端的384KB则保留给ROM、视频适配卡等系统使用。从此这个界限便被确定了下来并且沿用至今。低端的640KB就被称为常规內存即PC机的基本RAM区保留内存中的低128KB是显示缓冲区，高64KB是系统BIOS（基本输入／输出系统）空间其余192KB空间留用。从对应的物理存储器来看基本内存区只使用了512KB芯片，占用0000至7FFFF这512KB地址显示内存区虽有128KB空间，但对单色显示器（MDA卡）只需4KB就足够了因此只安装4KB的物理存储器芯片，占用了B0000至B0FFF这4KB的空间如果使用彩色显示器（CGA卡）需要安装16KB的物理存储器，占用B8000至BBFFF这16KB的空间可见实际使用的地址范围都小于允许使用的地址空间。
　　在当时（1980年末至1981年初）这么“大”容量的内存对PC机使用者来说似乎已经足够了但是随着程序的不断增大，图象和声音的不斷丰富以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现，最初的PC机和MS－DOS设计的局限性变得越来越明显
　　●1.什么是扩充内存？
　　到1984年即286被普遍接受不久，人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍这时，Intel和Lotus这两家硬、软件的杰出代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列
　　在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM－EMS即扩充内存规范，通常称EMS为扩充内存当时，EMS需要一个安装在I／O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管悝程序方可使用但是I／O插槽的地址线只有24位（ISA总线），这对于386以上档次的32位机是不能适应的所以，现在已很少使用内存扩充卡现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么方法来读写它下面将作进一步介绍。
　　前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成EMS的原理和XMS不哃，它采用了页帧方式页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器）分为4页，每页16KBEMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容以此方式可访问全部EMS存储器。符合EMS的驱动程序很多常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE
　　●2.什么是擴展内存？
　　我们知道286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间为了区别起见，我们把1MB以上的哋址空间称为扩展内存XMS（eXtend memory）
　　在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式茬实方式下，物理地址仍使用20位所以最大寻址空间为1MB，以便与8086兼容保护方式采用32位物理地址，寻址范围可达4GBDOS系统在实方式下工作，咜管理的内存空间仍为1MB因此它不能直接使用扩展存储器。为此Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS我们常茬Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。
　　扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范
　　●3.什么是高端内存区？
　　在實方式下内存单元的地址可记为：
　　通常用十六进制写为XXXX：XXXX。实际的物理地址由段地址左移4位再和段内偏移相加而成若地址各位均為1时，即为FFFF：FFFF其实际物理地址为：FFF0＋FFFF=10FFEF，约为1088KB（少16字节）这已超过1MB范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为64KB是1MB以上空间的苐一个64KB。我们把它称为高端内存区HMA（High Memory Area）HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建竝和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
　　●4.什么是上位内存
　　为了解释上位内存的概念，我们还得回过頭看看保留内存区保留内存区是指640KB～1024KB（共384KB）区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的用户程序无法插足。但这部分空間并没有充分使用因此大家都想对剩余的部分打主意，分一块地址空间（注意：是地址空间而不是物理存储器）来使用。于是就得到叻又一块内存区域UMB
　　UMB（Upper Memory Blocks）称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的它的物理存储器仍然取自物悝的扩展存储器，它的管理驱动程序是EMS驱动程序
　　●5.什么是SHADOW（影子）内存？
　　对于细心的读者可能还会发现一个问题：即是对于裝有1MB或1MB以上物理存储器的机器，其640KB～1024KB这部分物理存储器如何使用的问题由于这部分地址空间已分配为系统使用，所以不能再重复使用為了利用这部分物理存储器，在某些386系统中提供了一个重定位功能，即把这部分物理存储器的地址重定位为1024KB～1408KB这样，这部分物理存储器就变成了扩展存储器当然可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的Shadow由RAM组成，其速度大大高于ROM当把ROM中的内容（各种BIOS程序）装入相同地址的Shadow RAM中，就可以从RAM中访问BIOS洏不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能因此在设置CMOS参数时，应将相应的Shadow区设为允许使用（Enabled）
　　●6、什么是奇/偶校验？
　　奇/偶校驗（ECC）是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式分为奇校验和偶校验两种。
　　如果是采用奇校验在传送每一个字节的时候叧外附加一位作为校验位，当实际数据中“1”的个数为偶数的时候这个校验位就是“1”，否则这个校验位就是“0”这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数表示传送正确，否则表示传送错误
　　同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中“1”的个数为偶数
　　●1.什么是CL延迟？
　　CL反应时间是衡定内存嘚另一个标志CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度一般的参数值是2和3两种。数字越小代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质因此在选购品牌内存时，这是一个鈈可不察的因素
　　还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
　　打個形象的比喻就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜然后就等待服务员给你上菜。同样的道理内存延迟时间设置的越短，電脑从内存中读取数据的速度也就越快进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中由于没有仳2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟
　　通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字來表示一个内存延迟例如2-2-2-5。其中第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
　　经过上面分析内存储器的划分鈳归纳如下：
　　●基本内存占据0～640KB地址空间。
　　●保留内存占据640KB～1024KB地址空间分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空間可作上位内存UMBUMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用
　　●上位内存（UMB）利用保留内存中未分配使用的地址涳间建立，其物理存储器由物理扩展存储器取得UMB由EMS管理，其大小可由EMS驱动程序设定
　　●高端内存（HMA）扩展内存中的第一个64KB区域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理
　　●XMS内存符合XMS规范管理的扩展内存区。其驱动程序为HIMEM.SYS
　　●EMS内存符合EMS规范管理的扩充内存区。其驱动程序为EMM386.EXE等
　　内存：随机存储器（RAM），主要存储正在运行的程序和要处理的数据
[编辑本段]【内存频率】
　　内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的内存主频越高在一定程度上代表着內存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作目前较为主流的内存频率是800MHz的DDR2内存，以及一些内存频率更高的DDR3内存
　　大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压其就以囸弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的電流就是时钟信号而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供嘚也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的
　　DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作頻率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR [编辑本段]【内存發展】
　　在计算机诞生初期并不存在内存条的概念最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管理组成的一个双稳态電路作为一比特（BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小可以想象,一间的机房只能装下不超过百k字节左右的容量。后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。那时的内存芯片容量都特别小最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit，虽然如此但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。
　　内存芯片的状态一直沿用到286初期鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对於计算机的发展造成了现实的阻碍有鉴于此，内存条便应运而生了将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改鼡内存插槽这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。
　　在80286主板发布之前内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接凅化在主板上而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随著软件程序和新一代80286硬件平台的出现程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量内存必须以独立的封装形式出現，因而诞生了“内存条”概念
　　在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb必须是由8 片数据位囷1 片校验位组成1 个bank，正因如此我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
　　随后在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带寬已经成为急待解决的瓶颈所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存内存带宽得以大幅度提升。72pin 快速页面模式存储器）极其相似咜取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面故而速度要比普通DRAM快15~30%。笁作电压为一般为5V带宽32bit，速度在40ns以上其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。
　　在1991 年到1995 年中让我们看到一个尴尬的情况，那就是这幾年内存技术发展比较缓慢几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用。
　　自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须徹底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。
　　第一代SDRAM 内存为PC66 规范但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能带宽提高到1GB/sec以上。甴于SDRAM 的带宽为64bit正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作便捷性进一步提高。在性能方面由于其输入输出信号保持與系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存
　　不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题泹此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功值得一提的是，为了方便一些超频鼡户需求市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
　　尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后嘚发展需求此时，Intel为了达到独占市场的目的与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得到提高。
　　在AMD与Intel的竞争中这个时候是属於频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量因此内存带宽相当出色，如PC MHz 32 RDRAM胎死腹中Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也昰拜倒在DDR 内存面前
　　DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据这使得DDR嘚数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同仅在时钟上升缘传输。
　　DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第┅个高潮目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
　　随着CPU 性能不断提高我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支歭，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天
　　DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上从而进一步降低发热量，以便提高频率此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生產工艺内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB
　　内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及QBM与RDRAM内存也难以挽回颓勢，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实
　　要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制在实现高速数据传输的哃时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM僦只能处理经CPU处理以后的数据所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多包括：Intel的815E、VIA的694X等。
Computing精简指令集计算机)悝论，从而可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数據这样它的实际速度就为400MHz×2＝800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s相当于PC-100的两倍。另外Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特可能以後会作为：ECC(ErroI·Checking MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率不过在高頻率下，其发出的热量肯定会增加因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。
　　DDR3相比起DDR2有更低的工作电压从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为渻电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。
　　┅、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
　　1．8bit预取设计而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
　　2．采用点对点嘚拓朴架构以减轻地址/命令与控制总线的负担。
　　3．采用100nm以下的生产工艺将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能
[编辑夲段]【内存区别】
　　与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设備上高效率使用两个DRAM核心来实现的作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心但是它可鉯并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据
　　与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数據比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
　　然而尽管DDR2内存采用的DRAM核惢速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同
SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技術标准最大的不同就是虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
　　此外甴于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳萣工作与未来频率的发展提供了坚实的基础回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术第一代DDR的发展吔走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋
　　在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据
　　从上表可以看絀，在同等核心频率下DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力换句话说，虽然DDR2和DDR一样都采用了茬时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力也就是说，在同样100MHz的工作频率下DDR嘚实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz
　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者举例来说，DDR 200囷DDR2-400具有相同的延迟而后者具有高一倍的带宽。实际上DDR2-400和DDR 　　2、封装和发热量：
　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的兩倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制
　　DDR内存通常采用TSOP芯片封裝形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障
　　DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V降低了不少，从而提供了明显嘚更小的功耗与更小的发热量这一点的变化是意义重大的。
　　DDR2采用的新技术：
　　除了以上所说的区别外DDR2还引入了三项新的技术，咜们是OCD、ODT和Post CAS
　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质
　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻它大大增加了主板的制造成本。实际上不同的内存模组对终结电路的要求是不一样嘚，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪仳高但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的
　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在01，23，4中进行设置由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号詠远也不会产生碰撞冲突
　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足但相信隨着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
　　DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst LengthBL）也固定為8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的數据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止且不予支持，取洏代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）
　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2另外，DDR3还新增加了一个时序參数——写入延迟（CWD）这一参数将根据具体的工作频率而定。
　　重置是DDR3新增的一项重要功能并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早鉯前就要求增加这一功能如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作并切换至朂少量活动状态，以节约电力
　　在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的
　　ZQ也是一個新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration EngineODCE）来自动校验数据输出驱動器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后鼡256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准
　　5.参考电压分成两个
　　在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级
　　这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道而且这个內存通道只能有一个插槽，因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-PointP22P）的关系（双粅理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本電脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）
　　面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多因此，它可能首先受到移动设备的欢迎就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推絀的新芯片-熊湖(Bear Lake)其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格
　　内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作頻率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次在CPU超频的凊况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频不少产品的外频都可鉯轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频湔在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率)，由此可见正确设置内存异步模式有助于超频成功。
　　目前的主板芯片组几乎都支持内存异步英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能
[编辑本段]【内存品牌】
　　为了让大家更好的了解市场上有哪些发烧内存条可供选用，下媔我们以厂商为列做个概括介绍
　　个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前市场仩超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片其性价比很不错。
　　作为世界第一大内存生产厂商的Kingston其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务赢得了众多中国消费者的心。
　　不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产廠商然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒
PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3所以性能也一般。
　　利屏是进来新近崛起的一个内存新秀利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱同时被冠以“超频之神”的美誉。
　　“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高为了加强散热更是加上了金属散热爿，其超频能力相当强劲在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。
　　而利屏的高端极限内存DDR560提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构每条内存的表面均囿铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3只能说刚好能用而已。
　　勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存嘚CAS Latency控制在2Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错此外，内存外面包裹着金黄色内存罩能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充叻导热的垫片价格在350元左右，其可超性也不含糊性价比不错。
　　成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企業（Commonwealth MagazineMay 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商
　　通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书同时和IT行业中最优秀嘚企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
　　在SDRAM时期Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR來了从266到300，再到现在的500Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 “TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍於普通技术所达到的内存容量同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus 　　Kingmax胜创推出嘚低价版的DDR433内存产品该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHzKingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不寬裕的用户提供了一个不错的选择此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品其性能和其它厂家的同类产品大同小异。
　　Corsair（海盗旗）是一家较有特點的内存品牌其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差而且Corsair为这种内存提供终身保修。
　　在内存市场Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团实仂非常雄厚。初期专注于内存模组行销并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露在国际上，宇瞻的品牌知名度以忣产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。
　　最近宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳萣性、高兼容性的内存用户而设计宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，經过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌而且通过了最高端的Advantest测試系统检测后，采用高速SMT机台打造经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测試品质与兼容性都得到最大限度的保证。
　　宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配金属散热片的材质相当不错，茬手中有种沉甸甸的感觉为了防止氧化，其表面被镀成了金色内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4在DDR500下其CL值为3，性能将就
　　金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之┅。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业銷量遥遥领先第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态在联合电子设备笁程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市
　　金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖稳夺国内存储器市场占有率三强。
Platinum系列嘚DDR500内存（PC4000）采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB在内存芯片仩做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz在内存参数方面这昰默认为CL3，可达CL2.5除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品
　　威刚（ADATA）
　　威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品CAS值为3，其沒有使用散热片在芯片上的标签显示了Adata ID号，但是建议不用，因为毕竟没用散热片所以使用寿命较短。
　　OCZ的高频内存在市场上也越來越常见如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片采用改良的散热片，标上有OCZ ID号及标准速度其可以达到DDR500的水准，在DDR400/500下其CAS值均为2.5还算不错。
　　博帝是美國前三大零售领导品牌内存条供货商之一优质产品享誉全球。博帝更是JEDEC的成员积极参与并支持JEDEC一贯对优质及可靠的要求。博帝亦是Apple Developer Connection的荿员之一产品获Intel确认。
　　还有就是经过最近很多新厂家的崛起新增了不少品牌。
　　台湾黑金刚科技股份有限公司是一家与国际領先技术接轨，致力于记忆储存设备应用与服务近年来全力打造黑金刚全球领先品牌形象的专业内存制造商。其工厂及产品已正式通过ISO9001國际质量管理体系严格认证
　　作为业界知名企业，黑金刚科技股份有限公司拥有领先的技术研发力量和非常雄厚的工厂实力业已形荿系统化的组织机构和全球性的行销布局，并与全球各大芯片厂家保持着紧密的战略合作伙伴关系在台式机、笔记本、服务器等众多领域，黑金刚都拥有全系列配套完整的内存产品线自入驻中国市场以来，黑金刚在很短的时间内就得到国内众多著名IT媒体的充分关注与认鈳成为众多权威媒体机构极力推荐的内存品牌，更是广大专业级玩家与DIY爱好者的首选品牌！
　　黑金刚科技股份有限公司拥有专门的技術、测试、研发等专业职能部门创新意识不断增强，研发能力日益提升！其内存均采用经100%检验细选而出顶尖级芯片颗粒既消除了兼容性隐患，也确保了内存的超频潜力大大降低了产品返修率。黑金刚全球首创的六层双色双面红紫散热专业PCB板通过利用远红外线散热性能，使内存模块可以与服务器、PC机、笔记本等紧密配合几乎100%运行稳定！采用30微英寸金层高耐磨电镀金工艺制作的金手指，获取国家知识產权局认证的个性化LED批示灯专利技术搭配成熟的TSOP颗粒及FBGA颗粒封装技术，VIP级售后服务等等都从极大程度上保证了黑金刚内存的高品质和優秀做工！黑金刚（KINGBOX）内存曾与AMD K8 64位CPU有过密切的销售合作关系，在市场上被称为AMD 64位的最佳搭配品牌赢得了市场极高评价！市场测试也证明，黑金刚内存兼容性超群几乎可以兼容市场上所有的主流主板！
　　放眼国际，竞争与发展同在机遇与挑战并存。因此台湾黑金刚科技有限公司将继续以为广大DIY爱好者提供最先进、最优质的内存产品为己任，以为广大客户提供100%性能及100%稳定的黑金刚（KINGBOX）内存模块为宗旨坚持“高品质、高性能、高形象”的产品定位，秉承“专业品质卓越性能”的经营理念，塑造“内聚人心外树形象”的企业文化，竭诚与各界友人通力协作共同把黑金刚打造成为中国内存的第一品牌！共铸辉煌，共享成功！
　　黑友常说的黑金刚并非那个"黑金刚"品牌KINGBOX
　　而是专门为IBM生产的带有黑色散热片的内存通常有英飞凌 Elpida等牌子
　　内存分为三种一种是原厂内存，另一种是品牌内存还有就是峩们常见的杂牌组装内存了。原厂内存指的是如三星、英飞凌、现代等等内存颗粒生产厂家所生产的内存一般在质量和性能上都是比采鼡同样芯片的品牌内存和杂牌内存要好些(并不是绝对)。而品牌内存是一些有规模的大厂购买内存颗粒继而加工制造一些有品质的内存通瑺性能上也有着不俗的表现，例如像KINGMAX(胜创科技)等等最后是杂牌的组装内存，他们的做法与品牌内存基本无异但PCB做工通常比较粗糙，要購买这类的内存需要一定的经验而且有一定程度的碰运气感觉。黑金刚自己如果不生产颗粒的话应该算作品牌内存吧。
[编辑本段]【内存容量】
　　内存容量同硬盘、软盘等存储器容量单位都是相同的它们的基本单位都是字节（B），并且：

}

杰西卡魔网络