包括赛普拉斯半导体公司(NASDAQ:CY)和瑞萨電子公司(TSE: 6723)在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM（静态随机存取存储器）这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹（MHz）的時钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和功能方面兼容从而使网络交换机、路由器及聚合平台制造商不必修改电路板设計，只需提高系统内时钟速度即可大幅改善产品性能

新型QDR II+ Xtreme SRAM将采用x18 o或x36字宽，4或2次突发访问4次突发器件的随机存取速率（RTR）可达每秒6.33亿次，工作时钟频率为633MHz这是QDR SRAM器件现有的最高速度。2次突发器件以450MHz的频率工作RTR可达每秒9亿次随机传输，这比以同样频率运行的上一代4次突发器件的RTR提高了一倍 随机存取速率的定义是每秒进行的完全随机存取次数，是重要的存储器指标用以衡量增加的线或交换速度。

赛普拉斯存储器事业部执行副总裁Dana Nazarian 说：“QDR II+ Xtreme产品无需重新进行系统设计即可大幅提升性能这对于期望赶上流量要求步伐的网络设备制造商非常有吸引力。QDR联盟正积极制定一系列后续解决方案以支持网络工业界对存储器不断提高的要求。”

瑞萨电子公司工业和网络事业部高级经理Hiroyuki Goto說：“SRAM器件是追求高性能存储器解决方案的客户的另一个很好的选择我们很高兴能以QDR II+ Xtreme架构保持领先地位。”

QDR联盟成立于1999年旨在为高性能网络应用定义新的SRAM架构。QDR联盟的成员相互合作开发用于网络应用的QDR SRAM系列器件。成员公司在其自有的生产设施中根据各自的计划设计並生产这些产品，并在市场上相互竞争