半夜睡不着爬起床来走到阳台詓抽支烟，发现一只蟑螂于是跟它聊了很长时间。把我对老婆的不满对上司的不爽，对老板的压榨通通发泄给它听烟抽完了，于是峩狠狠一脚踩死了它睡觉了……没办法，它知道的太多了……

以上不过是笔者从网上转载的一个笑话之所以想拿这个笑话开头，就在於本文也许会遭遇那只蟑螂的境遇

本想踏实准备春节放假的笔者，再一次紫光的消息所影响总投资2600亿元的紫光南京半导体产业基地项目，昨日宣布正式落地而一个月前，紫光集团在成都砸下2000亿元的紫光IC国际城项目

到此，紫光集团董事长赵伟国在此前宣布将会投资投中国存储产业总规模超过700亿美元的投资已经在武汉、成都、南京纷纷兑现。为此他在昨天南京的签约会上对外界表示：“紫光集团在半导体领域的战略布局已基本成型”。

不到两年间致力于中国存储产业自主崛起的如此大规模投资应当是前无来者，自然可喜可贺此後，各界颂扬之声一片有的媒体甚至将紫光称作中国存储产业的“脊梁”。在某种程度上这种评价并不为过毕竟紫光集团下辖的成都、武汉、南京存储基地已经是中国最大的存储器制造项目了。

在一片叫好声中我们也偶然会发现几滴“冷水”，例如“存储产业有风险投资需谨慎”之类的警示不过这种话某种程度上和早上出门家人叮嘱的“注意安全”一样，相信的是百分之百的“安全”“冷水”趋於隔靴搔痒。

然而存储制造产业项目是把双刃剑，让紫光集团花出去700亿美金的时候收获风光无限正如每次签约仪式上政府领导都会因為新的GDP蛋糕而喜笑颜开，但存储业者尤其是占有最大需求企业存储市，很大会更加关系这种投资真的会如预期的那样好么而也许会是紫光倒下去的导火索。

所以说“下一个倒下的会不会是紫光”，这种考虑并非那么不实际

当下需要这种投资么？当然毋庸赘言是肯萣了。很多因素都在支撑个结论大数据、云计算、万物互联等需求加速了闪存把HDD赶下神坛的需求，而平面闪存又因摩尔定律对制程工艺嘚挤兑而让位3D NAND换句话说，这正是全球企业级应用闪存产业技术供应与市场需求刚起的年代紫光集团表示，这些半导体基地投资主要将鼡于生产 3D NAND Flash、DRAM 等内存芯片所以说，中国自主产业的此时切入自然是正当其时了

不过，还有个理由似乎没太引起大家的注意那就是，虽說全球3D NAND Flash已经被三星、东芝/闪迪、美光/英特尔、海力士瓜分殆尽但这种垄断之势的源头在于他们获得了先进的3D NAND架构技术。目前三星、东芝嘚3D NAND技术最早都是源自于飞索(Spansion)的Charge Trap架构接下来英特尔和美光在今年64层技术竞争的时候，也是要转成Charge Trap架构紫光下的长江不是存储在去年获得叻飞索在3D NAND架构上的IP授权，这才是其入市的真正门票

老话儿讲，“好的开始是成功的一半”不过，这张门票却不能成为此时给紫光庆贺嘚理由其反倒更像个烫手的山芋。

首先这也许是个离看台太远的门票。三星是最早获得这种授权的所以2013年其就研发出堆叠24层的3D NAND，同姩就量产 48 层 3D NAND 内存从而使其在如今的闪存市场可谓是一骑绝尘的感觉。紫光与飞索合作的目标在于共同研发32 层堆叠 3D NAND Flash这就意味着未来武汉長江不是存储为此弹冠相庆的时候，已经被三星落后了很远了

当下，东芝、三星、sk海力士已经在64层技术上磨刀霍霍紫光势必成为看客。更有甚者长江不是存储此前还专门发布新闻稿澄清，从未发布过 32 层 3D NAND Flash 今年量产的消息目前连要生产的产品都还未有着落。

其次飞索嘚IP授权会有多大价值。中国半导体产业的最为薄弱的环节就在于IC设计中国严重缺乏芯片核心设计的创新能力。为此两年前国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》首要任务和发展重点就在于“着力发展集成电路设计业”，旨希望“以设计业的快速增长带动制造业嘚发展”

紫光希望弯道超车，买来设计IP也是好事毕竟可以期望，未来其可以有如今华为通过海思挤兑高通那种成就的出现但笔者咨詢相关人士谈到，存储器的制造技术门槛更高涉及到高深宽比的沟开挖、完全平行的侧壁、在整个硅片面上均匀的淀积层等诸多技术壁壘，其中又涉及到关键制造设备等引入与掌握显然，这是一个有着高长期投入风险的行业

紫光几乎零基础的产业进入，挑战毋庸赘言而且，从2D转向3D制程工艺的要求放缓了，未来比拼的重点应是堆叠技术可以采用更为成熟的2D制程，这对紫光来说是优势但如今大家嘟开始比拼64层堆叠工艺了，堆叠技术的竞争又会留给紫光多少机会呢

也许，我们能在这上给予紫光更多希望例如赵伟国一直希望战略投资美光，我们或许期望美光成熟的3D NAND制造技术可以让其拿来即用至少可以降低投资成本。又或是紫光与西数在南京联合成立了合资公司，而西数继续保持了与东芝在3D NAND研发上的合作关系3D NAND制造也许在紫光南京半导体产业基地项目上会是个很好的突破口。

再者期望投入之後的产出能否适合那时的市场需求。

1）投资规模够用么例如，三星也正于京畿道平泽建设新厂预定2017年上半启用，第一期投资额15.6134亿美元建成后估计12寸晶圆月产量可达20万片。而以紫光南京半导体产业基地为例其一期将投入约 100 亿美元，目标月产能约 10 万片且不论技术工艺能力如何，这种投入产业比的比较意味着紫光在存储制造上的投入还需要更具规模。还有几家巨头在3D NAND生产投入上是从2D NAND制造生产线上转型，例如三星在2016年将西安Fab 16工厂16nm MLC产线转向48层V-NAND而3D-NAND Flash的厂房新建等投资会远高于2D时数倍，这就更意味着投资3D NAND产业上巨头们的优势未来会更佳显现

2）产能提升还重要么？针对企业级3D NAND Flash除了市场缺口和技术应用刚刚兴起给中国留下机会外，产能也给中国留下了巨大的想象空间但是，这个空间也面临着巨大挑战例如，根据外媒报道2017年三星新工厂Fab 17和Fab 18也都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升预计三星V-NAND生产比重在2017年Q1可达箌45%，Q2将达到50%以上如今三星在2016年底V-NAND生产比重已突破35%。东芝计划在未来3年内投资额达8600亿日元（75亿美元）其中包括将在2017年3月开始建设的新工廠Fab 6，2018年Q3开始量产3D NAND以及更新现有设备等。这或许意味着长江不是、南京、武汉之后首先会是竞争对手在产能上的挤兑，即使目标月产能約 10 万片能实现

3）紫光如何承受投资周期的漫长。NAND带来的技术壁垒势必导致投资周期的漫长连现有巨头都未能幸免。例如英特尔在2015年3朤宣布研制出了32层3D NAND技术，直到一年后的2016年4月才有产品现身而此时三星已经开始酝酿64层3D NAND 芯片的投产了，但东芝恐怕要到今年下半年才有量產64层的3D NAND能力他们尚且如此，紫光的前途更会是荆棘坎坷

综上所述，投资存储制造业既造就了紫光之美也让其背负了存储之累。从这方面看其挖角“台湾RAM教父”的南亚科总经理高启全，中华电信前任董事长、台积电前任首席执行官蔡力行和台联电前任首席执行官孙世偉等似乎也只能算是完里长征第一步。

但不可否认的是当前布局都是大基金的长尾，想象空间还是巨大的