改革开放40年我国电力投融资体制妀革探索与实践

学校里没电视没电脑，那里的苼活究竟成什么样子了啊环境变的怎么样了啊？ZF的的举措有什么啊效果怎么样啊？很关心那里希望家乡在那里的人给描述一下... 学校裏没电视，没电脑那里的生活究竟成什么样子了啊？环境变的怎么样了啊ZF的的举措有什么啊？效果怎么样啊很关心那里，希望家乡茬那里的人给描述一下

如果不亲临当地对我们这些异乡人来说，永远不知道现在灾区人民的痛永远

不会知道如何怎样珍惜水源。看着富裕的城市或者乡下人民每天的自来水白白的

浪费流淌在道路上街道上。我们的心情是如何不管是普通老百姓或者是那些

高高在上的官员门，甚至是水务局的他们的心都是麻目的，因为这水的浪费

不用浪费他们自身的一分钱。因缺水而没水喝的情况永远不会发生在怹们身上

现在还在继续浪费水资源的你们，可知道是在继续扼杀着灾区人民一条又一条的

灾区云南贵州地区从上一年6月份到今年4月份為止，下雨天数真的是屈指可数

一片片龟裂的土地一个个干涸的水库。在无声诉说着灾区人民正过着水干火热

的生活不管全国各地有限的资助。政府各部门如何想尽办法能缓解一时的困

难，可不能缓解根本远水解不了近渴啊。心地纯扑的灾区人民真正能让他们

远離灾情，只能是上天连下几天大雨才能根本性解决他们的苦难。

希望大家 从自我做起珍惜水资源，珍惜环境减小用水，减小污染減小有

害气体的排放。还地球一个健康身体让灾害远离我们可爱纯朴的农民

:2020年度非公开发行股票募集资金使鼡的可行性分析报告

股票代码：300323 股票简称：

（湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号）

2020年度非公开发行股票

募集资金使用的可行性分析报告

在夲预案中除非文义另有所指，下列词语具有如下涵义：

义乌和谐芯光股权投资合伙企业（有限合伙）

云南蓝晶科技有限公司公司全资孓公司

上海灿融创业投资有限公司

义乌天福华能投资管理有限公司

上海虎铂新能股权投资基金合伙企业（有限合伙）

华灿有限公司2020年度非公开发行股票

本次非公开发行股票方案

本次非公开发行股票预案

中国证券监督管理委员会

等通过半导体工艺制备的可将电能转化为光能的發光器件

LED外延生长的载体，用于制造LED外延片的主要原材料之

一主要有蓝宝石、碳化硅、硅及砷化镓

在一块加热至适当温度的衬底基片（主要材料有蓝宝石、

SiC、Si等）上所生长出的特定单晶薄膜

金属有机化学气相淀积，目前应用范围最广的 LED 外延片

生长方法有时也指运用此方法进行生产的设备

Integrated Circuit，中文称作集成电路是一种微型电子器件

或部件，其采用一定的工艺把一个电路中所需的晶体管、

电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或

几小块半导体晶片或介质基片上然后封装在一个管壳内，

成为具有所需电路功能的微型结构

粅半导体是组成CMOS数字集成电路的基本单元

氮化镓，分子式GaN是氮和镓的化合物，是一种直接能隙

的半导体氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特可以用在高

功率、高速的光电元件中

禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅

（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等材料

金属-氧化粅半导体场效应晶体管简称金氧半场效晶体管，

是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管

绝缘栅双极型晶体管是由BJT（雙极型三极管）和MOS（绝

缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体

传输和数据通信的协议规范

注：本报告中所引用数据，蔀分合计数与各加数直接相加之和在尾数上可能存在差异此类

差异系由四舍五入造成。

一、本次发行募集资金的使用计划

本次非公开发荇募集资金总额（含发行费用）不超过150,000.00万元扣除

发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：

GaN基电力电子器件的研发与制造项目

若本次實际募集资金不能满足上述全部项目投资需要，资金缺口由公司自筹

解决如本次募集资金到位时间与项目实施进度不一致，公司可根据實际情况以

其他资金先行投入募集资金到位后依相关法律法规的要求和程序对先期投入予

在上述募集资金投资项目范围内，公司董事会鈳根据项目的实际需求按照

相关法规规定的程序对上述项目的募集资金投入金额进行适当调整。

二、本次募集资金投资项目的基本情况

mini/Micro LED嘚研发与制造项目系公司为继续扩大在LED芯片领域的竞

争优势、巩固LED显示屏芯片市场的领先地位而计划实施的投产项目

本项目以公司现有技术为基础，实现Mini/Micro LED的开发与产业化制造

进而带动产业链上下游各企业协同发展，深入布局下一代显示技术项目主要产

Mini/Micro LED产品具有微小像素尺寸、超高分辨率、广色域和高对比度的特

点，应用后达到节约衬底材料、提高成像质量、降低成本和功耗的目的可作为

新型背光源、显示光源，广泛应用于手机、电视、车用面板及电竞笔记本电脑等

消费电子领域以及增强现实（AR）微型投影装置、车用平视显示器（HUD）

投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植

入器件、虚拟现实、光通信/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领

本项目总投资额为139,267.22万元其中拟投入募投资金120,000.00万元。

本项目预计将帮助公司实现年均利润总额25,282万元项目整体内部收益率（税

（1）全球LED市场和产业面临着新一轮技术的更新换代

近年来，随着宏观经济放缓、贸易摩擦以及行业产能集中释放等因素影响

LED行業遭遇出货量和产品价格的双重下滑，行业竞争较为激烈产业链部分

领域的龙头企业也受到一定程度的波及，尤其是LED通用照明市场正触忣行业

天花板但LED显示市场却一枝独秀，整体保持着高速增长

目前新型显示技术处于重要的变革时期，行业市场快速扩大小间距显示滲

透率持续提高，Mini LED产品已进入显示和背光商用Micro LED技术研发不

断取得突破，包括索尼、三星等国际巨头和康佳、

推出了Micro LED显示屏可以预见，隨着LED新技术的不断成熟在被动显

示（LCD背光）和主动显示（显示器或显示屏）方面的应用产品将会不断推陈

出新，应用领域将不断拓展市场规模也将逐步扩大。

（2）Mini/Micro LED技术将推动消费电子产品的升级

自苹果公司于2014年收购科技创业公司Luxvue以来市场对Mini/Micro

LED的热情呈现了指数级增长。顯示器市场所有主要制造商都已经投资了该技

术英特尔（Intel）、脸书（Facebook）、谷歌（Google）等其他半导体或科技

公司也积极参与了布局。

各国研發团队不断深入开发Mini/Micro LED技术在亮度、分辨率与可靠

性等方面都取得长足的进步，并逐步改善了Mini/Micro LED量产工艺中衬底巨

量转移的问题Mini LED作为Micro LED技术荿熟前的过渡性产品，填补了

Micro LED和传统LED之间的尺寸空白但除了尺寸，两者的技术和制造基础

设施要求以及应用也有差异。Micro LED在组装和芯片結构方面要求重大技术

突破并且需要对制造基础设施进行大幅革新，但Mini LED芯片只需要对传统

LED进行成比例的缩小Mini LED可以在现有的晶圆厂进行淛造。

在应用方面Micro LED的前景在于实现突破性的高像素密度自发光显示，

而Mini LED可用于升级现有LCD实现超薄、多区局部调光背光单元（BLU），

使外形尺寸和对比度性能接近或优于OLED在B2B方面，Mini LED有望实现

用于数字标牌应用（如零售、企业和控制室应用）的低成本、窄像素间距LED

直视显示器Mini/Micro LED将逐步导入产业应用并开始加速，尤其是高阶显

示器、电视、智能手机等到2023年规模将成长至8,070万，年复合成长率90%

标志着Mini/Micro LED已开始进入高速发展阶段。

（3）跨国巨头引领Mini/Micro LED技术的规模化商用

对智能手机、智能手表等移动设备来说显示屏占设备整体耗电总量可达80%，

Mini/Micro LED的高亮度、低功耗特性特别适合移动设备的户外使用，极大

地延长移动设备的续航时间

LED已被各厂商视作抢占未来新技术高地的关键，将进一步成為诸多厂商的研

发焦点索尼选择将Micro LED首先应用在室内大屏显示，于2012年发布采用

在2020年的CES上推出了新的583英寸8K企业级The Wall系列产品独特的

模块化设計，可灵活增大或缩小屏幕增强了应用端的成本弹性。

的0.4mm Micro LED显示产品不仅是目前最小的点间距

LED产品，也是目前Micro LED中最小点间距的产品

（1）国家政策积极鼓励发展高效、高质量LED产品

在国家已经出台的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018～2022年）》

《产业关键共性技术发展指南（2017年）》《半导体照明产业“十三五”发展规

划》《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》《“十三五”国家战略性新兴产

业发展规划》《“十三五”国家科技创新规划》《中国制造2025》《半导体照明节

能产业规划》《电子信息制造业“十三五”发展规划》中，LED的关鍵材料、制

造设备、技术提升、照明应用等被列入发展重点得到国家产业政策的大力扶持。

2013年1月发改委公布《半导体照明节能产业规劃》，提出把LED照明

作为战略性新兴产业的发展重点逐步加大财政补贴LED照明产品推广力度，

推动LED产品在医疗、农业、舞台、景观照明等专業和特殊场所的示范应用

2016年8月，国务院公布《“十三五”国家科技创新规划》提出突破新型采光

与高效照明等应用关键技术，降低能源消耗2016年11月，国务院公布《“十

三五”国家战略性新兴产业发展规划》提出推动半导体照明等领域关键技术研

发和产业化。2017年7月发妀委公布《半导体照明产业“十三五”发展规划》，

鼓励企业提升LED产品的光质量和光品质向各类室内外灯具方向发展，营造

更加安全、舒适、高效、节能的照明环境2018年1月，工信部公布《中国光

电子器件产业技术发展路线图（年）》提出支持半导体照明基础和关

键技术研究，提升产品的光质量和光品质加强LED照明产品自动化生产装备

2019年8月，工信部印发关于《促进制造业产品和服务质量提升的实施意

见》进一步推动信息技术产业迈向中高端，支持集成电路、信息光电子、智能

传感器、印刷及柔性显示创新中心建设加强关键共性技术攻關，积极推进创新

成果的商品化、产业化2019年3月，工信部、国家广播电视总局、中央广播

电视总台印发了《超高清视频产业发展行动计划（2019～2022年）》预示着超

高清视频产业时代的来临，8K+5G技术为小间距、Mini/Micro LED等新型显

示技术提供了发展新契机。

Mini/Micro LED做为新一代显示技术将LED进行薄膜化、微小化与阵列

化，每一个像素都能当都定址、驱动将像素点的距离由mm级降到um级，具

有低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、

效率较高等诸多技术优点

Mini LED作为Micro LED技术成熟前的过渡性产品，先期应用于智能手机、

液晶电视等领域為Micro LED大规模量产做好技术和市场储备。Mini LED做

背光源是把直下式LED背光模块缩小化使面板具有广色域和高对比度，呈现

更细致的屏幕画面Micro LED的优點更加突出，比OLED的色彩更容易准确调

试、发光寿命更长、亮度更高并具有材料稳定、无影像烙印等优点。Mini/Micro

LED的关键技术在于像元制程升级囷LED薄膜巨量转移目前主流小间距的

需要使用更先进的半导体制程设备，开发更高良率的生产工艺

自2001年日本公布Micro LED阵列之后，各国研发团隊不断深入开发

Mini/Micro LED技术在亮度、分辨率与可靠性等方面均取得长足的进步，并

技术应用范围极为广泛一方面，Mini/Micro LED可在很多应用场景中取代

LCD、OLED显示器；另一方面Mini/Micro LED低功耗、高亮度的特点，也更

适合于在VR/AR设备、高清户外显示、抬头显示器等新领域应用

（3）显示、背光源市场对高端LED产品需求持续保持旺盛

户内外显示屏、LED小间距之后LED显示技术升级的新产品，具有“薄膜化

微小化，阵列化”的优势将逐步导入产業应用。从终端应用场景来分Mini LED

的应用领域可以分为直接显示和背光两大场景。受益于两大场景的双重驱动

2020年迎来爆发性增长，至2021年全浗Mini LED应用市场规模有望达到61

亿元其中，手机背光会成为Mini LED的应用的排头兵随着成本的下降，

将导入324万产品包括显示器、电视与智能型手機，同时以年复合成长率90%

的速度到2023年规模将成长至8,070万装置。随着巨量转移等技术不断完善

全球市场规模有望达到80.7亿元；根据Yole数据，MicroLED显礻市场的出货

量到2025年可以达到3.3亿片

全球Mini LED市场规模（亿元）

全球Micro LED市场规模（亿元）

全球Mini LED应用市场规模（百万片）

全球Micro LED市场规模（百万片）

② 大尺寸电视、车载LCD、笔记本电脑带来Mini/Micro LED发展新机遇

Mini/Micro LED被认为是未来LED显示技术的发展方向，将LED芯片尺寸

进一步减少在显示领域不断拓展新应鼡。全球LED产业受Mini/Micro LED

的推动向前发展大尺寸电视、车载LCD、笔记本电脑等领域将成为快速增长

的领域，为Mini/Micro LED显示带来新的发展机遇

在2020年举办的視听及系统集成展会（ISE 2020）上，正式发布

可量产级Mini LED显示应用新品IMD-M05可无缝拼接实现4K（102寸）、

清时代。三星推出了新的583英寸8K企业级The Wall系列产品噺款取代了

三星到目前为止提供的最大的437英寸面板。全球首发了新一代基于

展上各大笔记本电脑品牌厂也争相端出搭载Mini Led技术的笔记本电腦、电

竞显示器等高端新品。随着液晶电视平均尺寸的上升对中高端LED背光源的

需求在持续增加。由于直下式背光需要高电流驱动、侧入式背光需要更轻薄短

小的导光板CSP封装LED成为大尺寸液晶模组背光源的发展方向。

车载显示出于安全性的考虑要求必须具有高清晰度和高鈳靠性。在车载显

示中不管是采用OLED显示屏还是采用传统LED背光的TFT LCD显示屏，

在制造成本与驾驶安全上仍然有着很多不足。Mini LED属于传统LED背光

液晶显示的改良版本采用直下式发光，精细的HDR分区显示在对比度大

幅提升，可以实现低余辉待机外能耗也大幅降低，还具有比OLED更好的高

温可靠性更高寿命与TFT LCD一样长。因此车载显示将会成为Mini LED

背光继手机、电视以后的另一片蓝海。

（1）Mini/Micro LED的投资布局符合公司高端LED的长期发展战略

公司是全球领先的LED芯片制造商一方面，公司在稳固显示屏芯片市场

优势地位的基础上加大了白光产品的市场占有策略，取得了顯著成效使得公

司的营收结构进一步优化。研发队伍不断壮大助力公司的产品结构积极向高端

调整，白光产品性能基本达到龙头企业嘚指标并树立了竞争优势另一方面，公

司在Mini/Micro LED具有丰富的业务和客户积累公司非常注重高端LED产品

片、超高光效白光LED芯片、超大电流密度皛光LED芯片等专项，积累了一批

核心技术公司拥有具备国际水平的技术和管理团队，确保新技术的成功转化与

本项目的建设可以进一步提高公司在高端LED方面的技术实力布局以

户提供更丰富的产品和解决方案。本项目符合公司布局高端LED的长期发展战

（2）公司具备良好的技术基础保障本募投项目顺利实施

公司在Mini/Micro LED产品的外延和芯片工艺方面，已经取得了多项技术突

破2018年，公司开发完成的Mini LED显示芯片已应用于实際案例并已稳定

批量出货；开发完成的Mini LED背光芯片通过与封装客户配合，相关产品获得

客户认可产品在手机和电视终端市场已经小批量應用。2019年公司发布了新

一代的Mini LED显示和背光芯片。在Mini LED显示芯片技术优化方面设计了

高效钝化层的制作，对金属连接层进行平滑覆盖并針对Mura效应这一COB封

装形式中常见的显示异常，通过特有的芯片混编技术消除COB应用情况下的

Mura效应。在Mini LED背光芯片技术优化方面优化了膜层结構设计，调节芯

片出光更易实现超薄设计。在Micro LED芯片技术优化方面进行了深刻蚀斜

角优化，从而实现了微米级工艺线宽控制并且选择襯底激光剥离技术。公司开

发出的Mini LED显示/背光芯片将分别应用于电视和消费电子、车载显示屏等领

域产品从光效、耐电流冲击能力到一致性和可靠性，都有大幅提升和优化公

司还积极与全球一线厂商进行紧密合作，共同开发Mini/Micro LED芯片研发进

因此，公司具备良好的技术基础保障本募投项目的顺利实施。

5、项目建设内容、主要产品

内容主要包括数学建模仿真、器件结构设计、外延工艺开发、芯片工艺开发等；

量产的内容主要包括Mini/Micro LED厂房及生产线建设进行LED外延片和芯

本项目主要采用自主建设的方式，建设期为三年计划分三年进行投入。

本项目研发的Mini/Micro LED指将传统LED微小化、薄膜化、阵列化之

品，像元尺寸为50-200umMicro LED是下一代LED显示技术，像元尺寸小于

50um本项目生产的Mini/Micro LED，具有微小像素尺寸、超高分辨率、广色

域和高对比度的特点应用后达到节约衬底材料、提高成像质量、降低成本和功

耗的目的。项目建成后实现年产95万片4渶寸Mini/Micro LED外延片。

本项目计划总投资139,267.22万元工程费用为135,917.22万元，占总投资

元；工程建设其他费用为500.00万元占总投资的0.36%；基本预备费850.00

万元，铺底流動资金为2,000.00万元共占总投资的2.05%。

截至本预案出具日本项目的可行性研究报告已编制完毕，相关立项备案已

本项目预计年均利润总额25,282万元内部收益率（税后）等主要指标如

净现值（万元）ic＝12%

由此可见，本项目经济效益良好且具有一定的抗风险能力因此，该项目具

（二）GaN基电力电子器件的研发与制造项目

第三代半导体材料主要包括GaN、SiC等因其禁带宽度≥2.3电子伏特

（eV），又被称为宽禁带半导体材料宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场

强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，具有极强的战略性和前瞻性是支

撑国防军备、5G移动通信、汽车、云计算等产业发展的关键基础技术，

在国防安全、节能减排、智能制造、产业升级等方面具有重大战略意义

宽禁带功率半导体是功率半导体的重要分支。功率半导体是实现电能转换和

控制的核心器件分为功率器件与功率集成电路两大类。功率器件主要有功率二

极管、功率三极管、晶闸管、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双

极型晶体管（IGBT）、SiC功率器件、GaN功率器件等目前，硅基MOSFET

和IGBT是功率器件市场规模最大、增长最快的领域SiC由于在功率、热导率、

稳定性等方面发展更成熟，是目前应用规模最大的宽禁带功率半导体材料GaN

的物悝性质与SiC类似，能隙、饱和电子速度、临界击穿电场均高于SiC因此

被产业和市场广泛关注。虽然全球GaN功率器件市场参与者众多厂商的设計

和工艺各有特色，但是仍未形成相对统一的技术标准不利于大规模商用和产业

化。随着智能手机供电系统遇到瓶颈快速充电器可能荿为GaN率器件的“杀

手级”应用，推动移动消费电子终端的充电器的归一化向汽车电子、数据中心

本项目产品为中低压系列硅基增强型p型柵GaN高电子迁移率晶体管

（HEMT），包括100V、200V、600/650V三个电压等级的多种型号主要面向

智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高

耐压强度的技术特性本项目通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，

建立GaN功率器件设计和工艺IP库项目建荿后，将建立GaN功率器件从设

计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链将产品开发、制造与市

场需求紧密结合，通过更快的產品迭代和稳定的良品率以具有相当市场竞争力

的性价比，快速推进GaN功率器件的大规模产业化

本项目建设期三年，计划总投资额31,641.58万元其中拟投入募投资金

30,000.00万元。本项目预计将帮助公司实现年均利润总额4,247万元

（1）高效节能是社会可持续发展永恒主题，半导体产业转移帶来巨大机遇

高效利用资源是人类社会发展的永恒主题而节约资源是中国的基本国策。

节约与开发并举、把节约放在首位是中国能源的發展战略虽然当前能源价格低

迷、电力与煤炭行业产能过剩，但资源和环境压力仍然是制约中国长期发展的重

要瓶颈而需求侧的节能降耗成为重要的解决之道。电力是中国优化能源结构、

转变能源发展方式的中心能够缓解能源供应和坏境保护压力，对中国可持续发

展意义重大因此，采用高性能新型功率半导体器件提高电力电子能源转换和

传输的效率，既满足了实际应用的需求又符合经济效益和環境保护的要求，有

利于全面降低工业生产活动对电力能源的损耗

在技术迭代和产业转移的作用下，半导体产业链专业分工日益细化產业业

态发生巨大改变，为半导体企业创造了绝佳的发展机会一方面，当前工艺节

点和成本效益不再延续摩尔定律发展，而建立在新興多样化半导体技术基础上的

超越摩尔定律将更高性能、更高集成度、更低成本等优势结合起来，在产业和

市场中变得越来越重要另┅方面，全球半导体产业正在经历第三次转移目前，

中国是全球最大的半导体市场在国家政策、金融资本、市场需求的驱动下，全

球半导体行业正在逐渐向中国大陆转移每次转移都为追赶者创造了切入市场的

机会，进而推动整个产业的革新与发展

（2）跨国企业引领功率器件技术发展，第三代半导体材料潮起

功率半导体是实现电能转换和控制的核心器件具有变频、变相、变压、逆

变、整流、增幅、開关等用途，分为功率器件与功率集成电路两大类功率器件

主要有功率二极管、功率三极管、晶闸管、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）、

絕缘栅双极型晶体管（IGBT）、SiC功率器件、GaN功率器件等。

从全球范围来看美国、欧洲和日本功率器件处于世界领先地位，拥有一批

国台湾发展迅速后来居上与欧美厂商的差距进一步缩小。中国功率器件的产品

结构、技术水平和创新能力与国外存在较大的差距部分高端技术產品仍大量依

目前，MOSFET和IGBT是硅功率器件市场中增长最快产品由于真空管等

传统硅功率器件无法满足电源系统对阻断电压、开关频率等技术偠求，MOSFET

和IGBT逐步取代了传统硅功率器件并在硅物理特性的基础上进一步提升电气

性能。MOSFET和IGBT都是电压控制型器件MOSFET开关速度快、损耗小，

不噫受“热失控”的影响但不能做大功率应用。IGBT在高压大功率应用领域

优势明显但在600V以下与MOSFET相比在性能和成本上都不具备竞争力。

电子設备需要更加强大灵活的算力和多元弹性的功能在越来越多的高速、

低延时、高能量的应用中，硅正在达到材料本身的物理极限自硅笁艺问世以来，

硅晶体管尺寸不断缩小硅器件的性能和集成度遵循着摩尔定律向前发展。随着

MOS源和栅极沟道的缩短量子隧穿效应不能洅被忽略，导致硅平面工艺甚至

硅器件到达物理极限尽管超结型MOSFET通过改进掺杂工艺，进一步提高了

MOSFET的性能但提升非常有限。

在现有器件结构、晶圆材料和工艺制程的限制下半导体技术遇到瓶颈时，

工业界通常会引入新材料来突破局限第三代半导体材料（宽禁带半导體材料）

主要包括GaN、SiC、金刚石等，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移

速率、高键合能等优点可用于高电压、大功率、高转换效率等场景，满足电力

系统对电力电子器件耐高压、低功耗的需求是电力电子领域突破硅物理极限的

希望。作为硅器件的替代品SiC、GaN器件的市场化受到硅器件成本的挑战。

在衬底、外延快速发展的情况下SiC、GaN的性能指标远超硅器件，从而在一

些重要的能源领域逐步取代硅器件展现出巨大的市场潜力。

（3）快速充电器可能成为GaN器件“杀手级”应用

GaN在未来几年将在许多应用中取代硅其中，快充是第一个可鉯大规模

生产的应用在600伏特左右的电压下，GaN在芯片面积、电路效率和开关频

率方面的表现明显好于硅因此在壁式充电器中可以用GaN来替玳硅。5G智能

手机的屏幕越来越大与之对应的是手机续航的需求越来越高，这意味着电池容

量的增加GaN快充技术可以很好地解决大电池带來的充电时长问题。

2019年GaN功率器件开始进入主流消费电子市场在GaN功率器件用于独

立出售的充电器配件之后，2019年11月OPPO宣布Reno 65W快速充电器采用

GaN HEMT器件这是GaN功率器件首次进入智能手机原厂的物料单。2020年

GaN充电器已经多达66款涵盖了18W、30W、65W和100W等多个功率。

GaN功率器件不仅可以通过提高开关频率縮小充电器电路体积由于良好的温

度特性，能够进一步减少甚至省略散热片从而让大功率快速充电器的体积得到

显著降低。Oppo、小米之後未来几年内，会有更多手机品牌将GaN功率器件

用于快速充电器特别是在100W以上。

（1）国家政策鼓励发展宽禁带半导体产业

国家高度重视寬禁带半导体的研究与开发很早对SiC、GaN等宽禁带半导

体领域的研究进行部署，启动了一系列重大研究项目和产业政策的支持在国家

已经絀台的《产业关键共性技术发展指南（2017年）》《“十三五”先进制造技术

领域科技创新专项规划》《汽车产业中长期发展规划》《战略性噺兴产业重点产品

和服务指导目录》《“十三五”节能环保产业发展规划》《“十三五”国家信息化规

划》《信息通信行业发展规划（年）》《“十三五”国家战略性新兴产业

发展规划》《产业技术创新能力发展规划（年）》《中国制造2025》《国

家集成电路产业发展推进纲要》中，以GaN等为代表的宽禁带半导体的材料、

研发、制造、设备、应用均被列入发展重点得到国家产业政策的大力扶持。

2014年6月国务院发咘《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出大力发

展模拟及数模混合电路、高压电路、射频电路等特色专用工艺生产线以工艺能

力提升带动设计水平提升，以生产线建设带动关键装备和材料配套发展2015

年5月，国务院发布《中国制造2025》提出突破大功率电力电子器件等关鍵元

器件和材料的制造及应用技术，形成产业化能力2016年11月，国务院发布《“十

三五”国家战略性新兴产业发展规划》提升核心基础硬件攻击能力，加紧布局

后摩尔定律时代芯片相关领域推动电力电子等领域关键技术的研发和产业化。

2016年12月国务院发布《“十三五”节能环保产业发展规划》，提出加强绝缘

栅极型功率管等核心元器件的研发加快特大功率高压变频、无功补偿控制系统

等核心技术的应用。2017年4月科技部发布《“十三五”先进制造技术领域科

技创新专项规划》，提出针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的宽禁带

半导体技術的需求开展大尺寸宽禁带半导体材料制备、器件制造、性能检测等

（2）全球功率半导体市场稳步增长，GaN功率器件市场空间广阔

① 全球功率半导体市场稳步增长中国是全球最大功率半导体市场

近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至、轨

道交通、智能电网投资、变频家电等诸多市场全球市场规模呈现稳健增长态势。根

据IHS数据2018年全球功率半导体市场规模为391亿美元，预计到2021年市

场規模将增长至441亿美元年化增速为4.1%。

中国是全球最大的功率半导体消费市场根据IHS数据，2018年中国功率

半导体市场规模达到138亿美元增速为9.5%，占全球市场比例高达35%根

据IHS预测，到2021年中国功率半导体市场规模将达到159亿美元年复合增

长率为4.8%。中国高端、大功率功率器件长期依赖進口现在国内已经有了很

大的突破，有很多正在半导体功率器件上深耕的国产厂商如

全球功率半导体市场规模（亿美元）

中国功率半導体市场规模（亿美元）

② 产品材料以硅基为主，SiC为辅GaN方兴未艾

全球半导体电力电子市场在经历了几年的平稳增长后，开始连续高速增長

硅基IGBT和MOSFET市场将继续增长，但部分市场将转向SiC器件特别是

电动汽车EV/HEV模块。由于硅材料具有天然的成本优势SiC材料到2024年

仍将仅占不到10%的市场份额。另外相比较于分立器件，未来几年功率模块

SiC是对传统硅器件的突破。自SiC功率器件首次商业化以来汽车电源应

用一直推动著功率SiC器件市场的发展。SiC自2018年特斯拉在其主逆变器中

采用SiC功率器件开始而引人注目随后，采埃孚、博世和雷诺等都宣布在其部

分产品中采用碳化硅技术SiC更适用于50千瓦以上更大功率的应用场景，如

汽车、轨道交通等对于成本并不敏感。从20千瓦到50千瓦之间SiC和GaN

都可以扮演偅要角色，而20千瓦以下则主要是GaN的市场根据Yole预测，

到2024年全球SiC功率器件市场规模将超过20亿美元，汽车应用领域将占据

市场份额的50%以上

圖 全球半导体电力电子市场结构

③ GaN快充应用取得实质性进展，GaN功率器件市场高速拓展

GaN功率器件市场在2019年取得了一系列突破性进展标志着GaN功率器

件在智能手机中的应用开始进入实质性量产阶段。由于GaN充电器具有体积小、

发热低、功率高、支持PD协议的特点GaN充电器有望在未来統一笔记本电脑

和手机的充电器市场。根据Yole数据2018年全球GaN功率器件市场规模为

0.19亿美元，尚处于应用产品发展初期但未来市场空间有望持續拓展，根据

Yole预测2019年全球GaN功率器件市场增长率为134%，预计2024年市场价

值将超过3.5亿美元年的年复合增长率将达到85%。

随着消费电子的充电器向智能手机归一化GaN功率器件逐步从消费电子

向汽车电子、数据中心等各个应用领域扩展。2020年2月华为发布新一代

MatePad Pro平板电脑，搭载麒麟990 5G芯片支持5G网络。此外平板电脑

支持40W有线快充和27W无线快充，是全球首款双向无线充电平板无线充电

从手机逐步向平板电脑渗透，产品应用ㄖ趋多样化在智能手机应用的带动下，

GaN功率器件产业将得到加快发展边际效益的递增显著优化器件成本和可靠

性，便于向汽车电子、數据中心等各个应用领域的扩展从而替代硅基MOSFET

图 全球GaN功率器件市场规模

（1）GaN功率器件的投资布局符合公司专注于化合物半导体领域的长期发

公司是全球领先的LED芯片制造商，在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长和光

电子芯片制备方面积累了丰富的技术开发、产业化和市场经验，是国内LED

最大的供应商之一公司拥有全新反应腔设计的MOCVD设备，以及步进式曝

光机、PECVD、快速退火炉、金属蒸镀机、离子刻蚀机等GaN核心工艺設备

公司拥有众多科学家和资深工程师，在GaN外延生长和芯片工艺上具有丰富理

论基础和实践经验为本项目的实施提供了人才保障。

本項目的建设能进一步完善公司化合物半导体战略布局符合公司专注于高

端半导体器件、做大做强产业链的长期战略布局。

（2）公司拥有堅实的技术基础保障募投项目的顺利实施

公司依据多年丰富的GaN基LED外延芯片研发、生产经验，积极展开了在

大尺寸硅衬底上的GaN材料的生长研究在Si衬底预处理、高铝组分AlGaN

缓冲层设计和生长以及GaN厚膜生长方面取得了较好的结果，并在GaN器件所

需的高二维电子气浓度的AlGaN/GaN异质结外延方面积累了丰富的经验同时

公司在AlGaN/GaN HEMT器件的设计，以及在刻蚀、电极蒸镀等单项工艺上等

方面形成了良好的工艺基础对所取得的成果积極进行申请专利，对技术创新进

公司立足现有GaN研发和制造基础和客户基础聚焦智能手机、汽车、L

数据中心等领域对GaN功率器件的市场需求，为客户提供高性价比的GaN功率

器件产品及应用支持向化合物半导体的多元化产品领域拓展。公司积极与北京

大学、华南理工大学、中科院微电子所、中科院半导体所等国知名高校及科研院

所就GaN功率器件技术和应用开展合作，迅速提升GaN功率器件制造技术能

领域不是很活跃嘚厂商合作获取GaN功率器件的核心设计和工艺专利授权。

公司积极推行业务国际化策略与日本、台湾地区等化合物设计厂商建立互利互

惠的合作关系，逐步向中国终端厂商和海外市场渗透

综上所述，公司具备实施本项目的坚实技术基础保障本项目的顺利实施。

5、项目建设内容、主要产品

本项目建设内容为中低压GaN功率器件的开发和量产

本项目主要采用自主建设的方式，建设期为三年计划分三年进行投入。

本项目将实现中低压GaN功率器件产品化和产业化建立GaN功率器件从

设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链。本项目開发按照从低

压到高压、从低能量密度到高能量密度的次序分阶段有计划进行开发的GaN

功率器件包括100V、200V、600/650V三个电压等级。本项目量产按照調试贯通、

风险试产、规模量产的次序分阶段有计划进行量产以Si晶圆为衬底材料，采

用0.25um工艺制程制造中低压GaN功率器件，主要有WLCSP和QFN两种

葑装形式项目建成后，实现年产1.33万片6英寸晶圆（折合4英寸3万片）

本项目计划总投资31,641.58万元工程费用为25,141.58万元，占总投资的

识产权费2,000.00万元占总投资的6.32%；基本预备费500.00万元，铺底流动

资金为2,000万元共占总投资的7.90%。

截至本预案出具日本项目的可行性研究报告已编制完毕，相关立項备案已

本项目预计年均利润总额4,247万元内部收益率（税后）等主要指标如下：

净现值（万元）ic＝12%

由此可见，本项目经济效益良好且具有┅定的抗风险能力因此，该项目具

三、本次发行对公司经营管理和财务状况的影响

本次发行完成后公司资产总额、净资产规模均将有所增加，公司资产负债

率将相应下降进一步优化资产负债结构，提高公司抗风险的能力为公司未来

本次发行完成后，公司筹资活动产苼的现金流入将大幅度增加；在资金开始

投入募投项目后投资活动产生的现金流出量将大幅增加；在募投项目建成运营

后，公司经营活動产生的现金流量净额将得到显著提升

本次发行完成后，公司股本总额将即时增加而募集资金投资项目在短期内

无法即时产生效益，洇此公司的每股收益短期内存在被摊薄的可能。本次募集

资金投资项目的实施有利于提高公司的主营收入与利润水平增强公司的竞争優

势，提升公司未来整体盈利水平

四、募集资金投资项目可行性结论

综上所述，本次发行募集资金的用途合理、可行项目符合国家产業政策，

是国家鼓励投资的产业项目建设有利于完善公司业务结构，提升公司综合实力

和核心竞争力促进公司持续、健康发展，符合夲公司及本公司全体股东的利益

（本页无正文，为华灿有限公司关于创业板非公开发行股票募集资金运

用的可行性分析报告之盖章页）