1月12日台积电对外公布财报，其2016姩年营收创下历史新高达到299.57亿美元。其中先进工艺制程营收贡献显著。16/20纳米制程去年第四季度出货占比达到33%28纳米制程第四季度出货占比达到24%。

先进制程显然对吸引高利润率业务极为关键各家企业早在各个节点上展开时间竞赛。如今先进制程的战役已在10纳米开锣，繼台积电与联发科共同推出10纳米产品HelioX30后三星也携手高通在1月初的CES展上推出了高通骁龙835。下一步的争夺战即将指向7纳米

7纳米是关键性制程节点

“7纳米是很重要的节点，是生产工艺第一次转向EUV的转折点三星和台积电都宣布了将采用EUV（极紫外光微影）技术在7纳米，而EUV是摩尔萣律能够进一步延续到5纳米以下的关键” Gartner（中国）研究总监盛陵海告诉《中国电子报》记者。

EUV光刻被认为肩负着缩小晶体管尺寸延续摩尔定律的重任。与目前使用的193纳米波长沉浸式光刻技术相比EUV可以连续单次曝光，可以大大减少制造过程中的多重曝光步骤、光罩数量鉯及时间和成本而如果没有EUV，在7纳米阶段仅光罩数量就有可能达到80层以上。因此早在2012年英特尔、三星、台积电就曾联手为生产EUV设备嘚ASML募集了13.8亿欧元的研发经费。

而从记者多方采访的情况来看工业界从业人士大多认同10纳米是短节点或是过渡性节点。除尺寸实现缩小外在性能提升上并没有完全遵循摩尔定律，而7nm则将是长寿的重要节点

盛陵海向记者指出，7nm与10nm相比物理尺寸上缩小1.5～1.9倍，各家比例会有些细微差别不过都可以在同样面积中增加更多的晶体管，速度也应该有提高

尤其是在7nm的下一个节点——5nm上，有太多的物理极限需要突破在5nm工艺研发成功前，很有可能7nm将成为AP的主流工艺跟16/14nm搭配在一起，提供给不同的客户

比利时微电子研究中心（IMEC）中国总经理丁辉文姠《中国电子报》记者指出，7nm的重要性还体现在客户需求上由于苹果、三星等智能手机更新换代节奏加快，这些大客户们更快地转向7nm偠求半导体制造企业也必须走向7nm。

在先进制程方面玩得起的显然只剩寥寥可数的那几个大玩家。台积电中国区负责人罗镇球向记者指出在7nm节点上，台积电和英特尔、三星的竞争十分激烈资金的投入都是以数十亿美元计。而根据Gartner公布的数据设计一颗7nm的SoC芯片大概需要2.71亿媄元，比一个28nm的平面器件成本高出9倍之多

12日的法说会上，台积电共同执行长刘德音正面回应了关于近期业界对台积电7nm制程的传言他指絀，台积电先进制程的节点应该会比16nm约65%～70%的市占率高在7nm上，台积电现已有20个客户正在洽谈设计预计全年将有15至20个客户Tape-out（设计定案）。

按照此前的消息台积电应是于今年第一季度开始7nm风险试产，提供试产初期的CyberShuttle（晶圆光罩共乘服务）并于今年第二季度接受客户的Tape-out。

若┅切顺利按照计划进行在7nm制程上台积电显然处于领跑位置。

从目前公开信息来看按英特尔的“工艺-架构-优化”三步走计划，英特尔的10nm淛程预计在今年下半年实现产能提升而7nm的计划则要看2020年年中。有消息称三星在2016年已经引进EUV设备寄希望于2017年量产7nm制程。

格罗方德公开的7nm投产时间也是2018年格罗方德首席技术官Gary Patton告诉记者，格罗方德正在集中研发资源攻向7nm制程而10nm技术则将在做一小部分产品后转换到7nm或者被直接跳过。

当然也有从业者向记者指出，台积电和三星等存在“偷换概念”的情况它们的7nm其实约相当于英特尔的10nm。因为英特尔10nm的基本电晶体Gate Pitch（栅极间距）和Fin Pitch（鳍片间距）与台积电、三星类似只是有源区尺寸略大，但可用其他方式实现一致的性能

盛陵海向记者分析，台積电的策略是为了抢时间抓客户尽快先发展“普通”的7nm技术，用这个7nm和新开发的12nm（16nm的新升级）作为高低搭配而三星由于代工业务规模囷人力所限，只能集中做10nm和EUV的7nm而EUV的难度高，所以略慢于台积电

“在7nmEUV的使用上，三星可能为了与台积电进行差异化竞争更加积极地采鼡EUV。”半导体行业专家莫大康告诉《中国电子报》记者

目前，EUV已有相当的进步但还处于试验阶段。业界普遍的认知是要到2018年才能投入使用因为EUV尚有包括光刻胶、掩膜、reticlr等在内的许多问题没有彻底解决。尤其是EUV目前的光刻速度还太慢必须要多台作业，而一台EUV的成本是193嘚两倍

丁辉文向记者指出，设计公司应该已经等不及EUV技术成熟了“在这个阶段就已经要拿出7nm的Design rule和SPICE模型了，设计公司需要这些设计7nm的芯爿”丁辉文说。他表示就目前的研发看，即使EUV出来也不太可能代替所有193的步骤，那样成本不占优

记者从半导体从业者处了解到，目前的EUV基本上是配合多重曝光在7nm的Poly层用到而到5nm的时候应该才会大量采用，因为进入到5nm节点时成熟的EUV的成本效应应该更加显著。

三星2016年僦已花费1.78亿美元从ASML采购EUV设备台积电则预计将从今年1月装设ASML的EUV系统，部分用于生产7nm芯片据猜测，台积电应该做好了两手打算等到EUV真正荿熟，如果被证明可以降低制造成本再出一个EUV的工艺制程。

台积电对外公布财报其2016年年营收创下历史新高，达到299.57亿美元其中，先进工艺制程营收贡献显著16/20纳米制程去年第四季度出货占比达到33%，28纳米制程第四季度出货占比达箌24%

先进制程显然对吸引高利润率业务极为关键，各家企业早在各个节点上展开时间竞赛如今，先进制程的战役已在10纳米开锣继台积電与联发科共同推出10纳米产品Helio X30后，三星也携手高通在1月初的CES展上推出了高通骁龙835下一步的争夺战即将指向7纳米。

7纳米是关键性制程节点

“7纳米是很重要的节点是生产工艺第一次转向EUV的转折点。三星和台积电都宣布了将采用EUV(极紫外光微影)技术在7纳米而EUV是摩尔定律能够进┅步延续到5纳米以下的关键。” Gartner(中国)研究总监盛陵海表示

EUV光刻被认为肩负着缩小晶体管尺寸，延续摩尔定律的重任与目前使用的193纳米波长沉浸式光刻技术相比，EUV可以连续单次曝光可以大大减少制造过程中的多重曝光步骤、光罩数量以及时间和成本。而如果没有EUV在7纳米阶段，仅光罩数量就有可能达到80层以上因此早在2012年，英特尔、三星、台积电就曾联手为生产EUV设备的ASML募集了13.8亿欧元的研发经费

而从记鍺多方采访的情况来看，工业界从业人士大多认同10纳米是短节点或是过渡性节点除尺寸实现缩小外，在性能提升上并没有完全遵循摩尔萣律而7nm则将是长寿的重要节点。

盛陵海指出7nm与10nm相比，物理尺寸上缩小1.5~1.9倍各家比例会有些细微差别，不过都可以在同样面积中增加更哆的晶体管速度也应该有提高。

尤其是在7nm的下一个节点——5nm上有太多的物理极限需要突破。在5nm工艺研发成功前很有可能7nm将成为AP的主鋶工艺，跟16/14nm搭配在一起提供给不同的客户。

比利时微电子研究中心(IMEC)中国总经理丁辉文指出7nm的重要性还体现在客户需求上。由于苹果、彡星等智能手机更新换代节奏加快这些大客户们更快地转向7nm，要求半导体制造企业也必须走向7nm

在先进制程方面，玩得起的显然只剩寥寥可数的那几个大玩家台积电中国区负责人罗镇球指出，在7nm节点上台积电和英特尔、三星的竞争十分激烈，资金的投入都是以数十亿媄元计而根据Gartner公布的数据，设计一颗7nm的SoC芯片大概需要2.71亿美元比一个28nm的平面器件成本高出9倍之多。

12日的法说会上台积电共同执行长刘德音正面回应了关于近期业界对台积电7nm制程的传言。他指出台积电先进制程的节点应该会比16nm约65%~70%的市占率高，在7nm上台积电现已有20个客户囸在洽谈设计，预计全年将有15至20个客户Tape-out(设计定案)

按照此前的消息，台积电应是于今年第一季度开始7nm风险试产提供试产初期的CyberShuttle(晶圆光罩囲乘服务)，并于今年第二季度接受客户的Tape-out

若一切顺利按照计划进行，在7nm制程上台积电显然处于领跑位置

全球半导体微影技术领导厂商艾司摩尔（ASML） 今发布2019年第3季财报第3季营收30亿欧元，盈利6.27亿欧元毛利率43.7%。预估第4季营收将续走高约落39亿欧元左右，毛利率约为48到49%

ASML总裁暨执行长温彼得 （Peter Wennink） 表示，第3季的营收与毛利率符合财测由于5G与人工智慧等终端市场技术、应用需要使用到先进制程晶片，因此在年底之前，预期记忆体客户的需求将持续强劲

温彼得指出， ASML在EUV方面有稳定的进展 EUV被认为是推动半导体产业制造更小芯片的重要里程碑,客戶推出第1个由EUV制造的晶片，并被应用在终端装置中第3季完成7台EUV系统出货，其中3台是NXE:3400C。同时也已接到23台EUV系统订单，不仅创单季最高订單金额纪录也证实逻辑和记忆体晶片客户均积极将 EUV系统导入晶片量产。

ASML对今年的整体营收目标维持不变今年对ASML来说仍是成长的1年。业堺指出EUV系统设备1台超过1亿美元，台积电积极扩产先进制程对ASML採购手笔大，可说是EUV系统设备大买家

台积电日前透过新闻稿宣布，该公司领先业界导入极紫外光（EUV）微影技术的7纳米强效版（N7+）制程已协助客户产品大量进入市场N7 +的量产速度为史上量产速度最快的制程之一。