《模拟电子技术基础》习题及参考答案

1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定

于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管

中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当I

它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进

入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、

2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12

伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B

为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比

共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级

放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路

18.为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出电

1.在本征半导体中，自由电子浓度空穴浓度；

2.在本征半导体中加入5价元素，形成型半导体，在这种半导体中，自由电子

3.在本征半导体中加入3价元素，形成型半导体，在这种半导体中，自由电子

4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，少数载流子的浓度则取决

5.PN结正向偏置时，P型半导体应该接电源的极，N型半导体应该接电源的极；

6.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；在PN结外加

反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；

7.稳压管稳压工作时，应该工作在PN结的区，即P型半导体应该接电源的

极，N型半导体应该接电源的极，且其工作电压必须稳压管的稳压值；8.双极性晶体管从结构上看可以分为型和型两种类型；场效应管从结构上

看可以分为型和型两大类型；场效应管从导电沟道上看可以有沟道和沟道；每一种沟道又分为型和型；

9.双极性三极管在放大区工作时，必须满足发射结偏置、集电结偏置；

10.对于一个PNP型三极管，如果要能不失真的放大信号，发射极、基极和集电极三个

电极的电位应满足条件；

11.场效应管属于控制型器件，双极性三极管在用小信号等效电路分析时，

可以近似看作为控制型器件；

12.在三种双极性三极管的基本电路中，输入电阻最大的是，最小的

是；输出电阻最小的是；同相放大信号的有，反相放大的有；

13.由NPN型三极管组成的共射放大电路，如果在输出信号的顶部出现失真波形，则

是失真，若由PNP型三极管组成共射放大电路，在输出信号的顶部出现失真波形，则是失真；

14.U GS＝0V时，型的场效应管的导电沟道已经存在，而型的场效

应管则不存在导电沟道；

15.在多级放大电路中，前一级的输出电阻可以作为下一级的，下一级的输入

电阻可以作为前一级的；

16.放大电路的输入电阻影响其的能力，输出电阻影响其的能力；

17.有两个放大倍数相同、输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，接上同一个信

号源，在负载开路的情况下，测出A的输出电压小于B的输出电压，则A的电阻B的电阻；

18.差分放大电路的功能是放大信号，抑制信号；

19.如果差分放大电路的两个输入信号分别是V i1和V i2，那么差模信号V id=，

20.长尾差分放大电路中用恒流源代替发射极电阻R e，是为了减小电路的放大

21.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以；

22.直流负反馈是指存在于通路的负反馈，其主要功能是稳定；交

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。

2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。

3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。

4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同

6、空间电荷区是由 C 构成的。

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

B. 前者正偏、后者反偏

11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。

13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导

14、晶体管是 A 器件。

15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。

16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间]

17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。

D.可正可负，也可为零

18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。

A.可变电阻（欧姆）区

20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流

21、基本共射放大电路中，基极电阻R b

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路

22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。

B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量